根据国泰君安证券最新研究报告，受AI算力需求增长的影响，海力士计划于2024年3月量产HBM3E，加快了高带宽存储器（HBM）的生产步伐。HBM技术通过先进封装技术实现DRAM垂直堆叠，是满足高性能AI算力需求的关键技术。海力士HBM3E预计提供最高1.18 TB/s的带宽，数据容量和传热速率分别比HBM3提高40%和10%。同时，韩国三星电子和美国微电子公司美光也在开发各自的HBM3E产品，预计2024年下半年量产。
报告还强调，海力士的投资将使其HBM产能在2024年底翻倍，预计到2030年其HBM出货量可达到1亿颗。此外，三星电子计划对HBM封装线投资高达10000亿韩元，预计将使其2024年的出货量增加2.5倍。
国泰君安证券认为，这些发展对国内先进封装及其配套设备和材料的产业链颇为有利。报告推荐一系列先进封装相关公司，包括通富微电、长电科技、甬矽电子、伟测科技、拓荆科技、芯源微、新益昌和光力科技等，作为行业的受益者。
HBM技术的发展和量产将促进AI算力需求的增长，预计中长期HBM的年需求增长率将达到40%。该报告同时提醒，AI产业发展不及预期、国产化进程缓慢及国际局势不稳定，可能构成风险。